Your cart
No hay más artículos en su carrito
Especificaciones IRL530PBF
Encapsulado:TO-220-3
Polaridad de transistor:N-Channel
Número de canales:1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):100 V
Id: corriente de drenaje continuo:15 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):160 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):- 10 V, + 10 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):2 V
Qg (carga de compuertas):28 nC
Temperatura operativa mínima:- 55 C
Temperatura operativa máxima:+ 175 C
Pd (disipación de potencia):88 W
Tiempo de caída:48 ns
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de establecimiento:100 ns
